会员登录 - 用户注册 - 设为首页 - 加入收藏 - 网站地图 罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT研讨会亮点回顾!

罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT研讨会亮点回顾

时间:2026-07-11 09:27:21 来源:河北润田节水设备有限公司销售十部 作者:综合 阅读:854次

精彩回顾

2026年1月21日,罗姆亮点“车载应用端的车载低压MOSFET高压IGBT”在线研讨会得到了大家的支持,再次谢谢大家的应用压IT研热情参与!错过本次直播的端的低压小伙伴,可以点击下方查看回放。和高回顾

1相关产品页面

·安装可靠性高的罗姆亮点10种型号、3种封装的车载车载Nch MOSFET

·实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

·MOSFET产品列表

·IGBT产品列表

2相关产品页面

面向车载应用的产品目录

晶体管的种类和特征

罗姆功率半导体产品概要

除此以外,罗姆君选取了研讨会中一些有代表性的应用压IT研提问在这里与大家分享,供大家回顾。端的低压

Q

罗姆低压MOSFET/碳化硅产品优势

A

低压MOSFET车规级认证齐全,和高回顾采用沟槽栅极结构,罗姆亮点实现超低导通电阻,车载减少功率损耗,应用压IT研采用新一代制造工艺与高性能封装技术,端的低压在性能上实现了关键突破,和高回顾具备高电流承载能力与卓越的散热特性,能够充分满足各类高端应用场景对稳定性和可靠性的严苛要求。SiC器件全产业链垂直整合,第四代沟槽栅结构,在导通电阻,开关损耗方面领先行业。

Q

车规高压IGBT宽温域参数漂移抑制方案

A

从芯片设计源头降低参数的温度敏感性,提升稳定性。

使用AMB衬底,铜夹片,双面散热等封装技术,降低热阻和热应力,保证芯片在宽温域下工作环境温和均匀。

在驱动设计上增加主动抑制手段,通过外部电路实施“校正”参数漂移,确保系统行为一致。

Q

车规高压IGBT保护响应速度与车载安全规范适配

A

器件本身具备高短路耐受能力,搭配DESAT+电流采样双快速检测、分级关断策略,过温保护设三级机制且内置快响温感;响应时间满足ISO 26262/6469标准,配合冗余设计、整车系统协同,实现故障快速处置与多层安全防护。

Q

罗姆车规封装认证与可润湿侧翼可靠性

A

全系列通过AEC-Q101、IATF 16949等核心车规认证;可润湿侧翼封装采用独有电镀工艺,高低温循环、振动、热冲击等严苛测试中,参数变化小、零失效或低损耗,还支持AOI检测,提升焊接合格率与机械稳定性。

Q

RGP系列替换竞品点火IGBT系统级验证要点

A

首先确认点火能量和波形,雪崩能量耐受是最重要的参数之一。

其次确认极端工况结温,进行耐久性测试等可靠性验证。

同样还要兼顾EMC测试,系统安全与诊断验证。

Q

罗姆封装技术独特优势

A

罗姆的封装技术核心围绕“高散热、高密度、高可靠”三大目标,尤其针对汽车和工业等严苛应用。采用双面散热封装技术,内部结构优化和材料创新,提高焊接工艺等完美满足AEC-Q101标准,并优化封装内部布局和引脚设计,有效降低栅极和源极寄生电感。

(责任编辑:知识)

相关内容
  • 英诺迅发布新品功率放大器YP601241T
  • 我市5月份居民消费指数同比下降0.6%_
  • “星芯向荣,与创新者同行”,2025年上海海思生态技术研讨会·成都站成功举办
  • TFT显示屏环境温度设计指南
  • 鼓楼社区开展防灾减灾安全教育_
  • 看见他,上一秒“哇哇大哭”,下一秒“娃娃大笑”
  • 快充时代来临!直流充电桩占比上涨,大功率成新战场
  • “星芯向荣,与创新者同行”,2025年上海海思生态技术研讨会·成都站成功举办
推荐内容
  • 基于飞腾腾珑E2000 CPU的自主可控DCS系统成功投运
  • 多家茶饮品牌冲刺港股IPO
  • 华山景区:“五一”假期每日限流3万人次
  • 4G工业路由器+DTU:打造无缝数据传输的工业物联网解决方案
  • 中国5G用户超10亿!本田和日产计划2026年合并!一周科技新闻点评
  • 概伦电子与上海国投、上海芯合创一号基金签署战略合作框架协议